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FAQ0400565: ASR1803平台分集开关AW13510QNR MIPI初始化配置方法?
2022年07月

1. 基于ASR1803平台使用MIPI协议的方法:

  将AW13510QNR的信息配置到平台提供的表格中

  例如:RFConfigurator_FalconA0_v5.45_RC5_SLM770A_DIV.xlsm;

2. 配置完成后点击表格中的"Click Here to Generate RF Config File"按钮将表格中的参数配合转成.c源文件;使用

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3. 使用平台工具将.c源文件转成bin文件;

4. 平台编译会加载生成的bin文件。

AW13510QNR的信息配置到TXCOUPLER_DIVASM_INFO表格中,其内容参考如下:

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注意:写入的寄存器个数一定要是寄存器地址或寄存器值的个数。

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FAQ0300586: AW32905通过片外电阻设置阈值,OVP阈值电压范围是多少?精度范围是多少?
2022年07月

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VOVLO=VOVLO_TH*(R1+ R2)/R1,由公式可以看出,当R1上偏同时R2下偏时为最大值max,R1下偏R2上偏时为最小值min。VOVLO_THSPEC如下图取值范围为1.16~1.24

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如果电阻标称值R1是R2的n倍,R1和R2均采用±1%精度电阻,则可得:

VOVLO-Max=1.24*(1.01*n+0.99)/0.99; VOVLO-Min=1.16*(0.99*n+1.01)/1.01。

举例:

通过片外电阻将VOVLO配置到6V时, VOVLO_TH按1.2V标称值计算可得n=R1/R2= 4,则根据上述公式可得:

VOVLO-Max=1.24*(1.01*4+0.99)/0.99=6.3V,相对目标电压6V上偏为+5%;

VOVLO-Min=1.16*(0.99*4+1.01)/1.01=5.7082V,相对于目标电压6V下偏为-4.86%。




 

 


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FAQ0700621: 为什么触摸按键应用建议打开基线异常自校准功能?
2022年07月

触摸按键的算法中有offset自校准功能,用来自动补偿寄生电容,其中有一种是基线异常(超出上下限阈值,可选)自校准功能。

在按键应用,尤其是系统长时间不掉电重启的场景,建议打开基线异常自校准功能,且上下限阈值都打开。

这是因为系统长时间不掉电重启校准,随着系统老化可能出现数据饱和,此时基线也会缓慢跟踪环境变化而饱和,从而导致芯片不能正常识别到触摸。

因此,该场景应用中建议打开基线异常自校准功能,基线异常的上下限阈值需要预留足够的diff值空间。

假设我们的按键触发门限设置的10万,由于compdata饱和值为100万,此时,可以设置基线异常校准的上下限位±80万左右,上限如果大于90万,触摸按键时,由于diff值(compdata减去基线值)小于触发门限,从而无法触发按键事件。


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FAQ0700620: 如何判断sar sensor是否出现过异常掉电?
2022年07月

AW9610x系列芯片有初始化完成中断标志,对应的寄存器是F080h的bit0 INITOVERIRQ,当芯片掉电并重新上电之后,会报INITOVERIRQ中断,如果该中断标志位被置1,表明芯片在工作过程中出现过异常掉电。

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FAQ0700567: AW86862产测压感offset超标如何排查?
2022年07月

可以做如下测试排查(可以找一个正常运行的AW86862和传感器作参考):

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一、 检查连接:

a) 肉眼检查BTB连接器,查看是否松动/撞件。

b) 连好传感器,万用表点测试点,测通断(传感器 到 AW86862):

传感器端名称

AW86862端名称

引脚描述

VCC

VS0

传感器供电

S+

AINP

信号正

S-

AINN

信号负

GND

GND

电源地

二、 检测传感器(拆下传感器):

a) 使用万用表电阻档,分别测量传感器VCC/S+/S-到GND之间电阻。以纽迪瑞的PT135,电阻约4KΩ典型值举例,若传感器正常,则理论电阻为:

VCC到GND

S+到GND

S-到GND

约4KΩ

约3KΩ

约3KΩ


(其他类型的传感器的具体阻值,需要参考传感器规格书)

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b)用稳压源2.8V(具体参考本项目VS配置多少电压),给传感器供电(VCC和GND)。使用万用表(独立的万用表,不与传感器共地)直流电压档,测S+和S-之间电压差,即产测中的offset值,±200mV以内则为正常(具体参考产测卡控值)。


三、检测芯片/PCBA(拆下传感器,断开电池):

a) 万用表档位设置为二极管档,红表笔插入V/Ω孔,黑表笔插入公共COM孔。

b) 将万用表红表笔接GND,黑表笔连接芯片端VS0/AINP/AINN。

c) 各个引脚(除GND/NC外)的结果判断:

i. 测试结果若为0.3-0.8V,则芯片本体正常,焊接正常;

ii.测试结果若为OL,芯片引脚为open状态,则芯片可能焊接或引脚异常;

iii.测试结果若为0V,芯片引脚对地短路,则芯片可能焊接或引脚异常;

iv. 以上三种测试结果供参考,若发现芯片引脚二极管特性异常,可与正常芯片进行对比。

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FAQ0700557: AW86862产测中修改砝码质量需要改动哪些?.
2022年07月

1. 更换砝码 

a) 把200g/150g的砝码,更换成想要的砝码质量,例如200g/100g。

b) 下压砝码,查看电子秤3~6秒后的显示读数是(需要在±5g以内),并记录下来(一位小数)。

2. 驱动代码

a) 打开AW8686X_Driver_MCU_v0.2.0公版代码中的aw8686x_common.h文件。

b) 在170行附近的WEIGHT_G=200枚举表示200g砝码质量,修改为理论质量。

c) 在170行附近的WEIGHT_MASS=150枚举表示150g砝码质量,修改为理论质量。

d) 保存代码,并编译烧录。

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3. 修改治具上位机程序

a) 修改200g/150g信号量raw1和verify1的信号量卡控阈值,例如>200则PASS(根据项目方案而定)。

b) 修改系数cali_coef计算公式中的砝码质量(实际质量),并修改相对应的卡控阈值。

c) 修改mass_deviation计算公式,所使用的两个砝码质量(实际质量)。


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FAQ0500640: 使用RTP模式时,IIC速率该如何选择?
2022年07月

有RTP模式需求时,要求haptic独占IIC。为防止RTP断播的情况,根据不同采样率波形文件,推荐使用以下匹配IIC速率。

采样率

IIC速率

12K

≥250K

24K

≥400K

48K

≥1M


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FAQ0500625: 线性马达f0校准后马达震感弱如何排查?
2022年07月

1.首先确认单体问题还是共性问题,异常机器概率占比多少?

2.其次可以确认AW软件f0校准偏差是否在±2hz左右范围;

在安卓平台上,比如cat f0 看结果2300【芯片追踪f0值,计算结果放大10倍】,执行echo 1 > cali指令后,看长震波形输出频率是否在真实f0±2hz左右范围

如果2步骤ok,说明AW 软件追踪流程没有问题,需要排查以下方向:

3.同步马达厂输出对应震动量的马达扫频曲线,看偏差±2hz左右范围内震动量是否偏差很大

4.排查马达结构是否有松动,在装配过程结构的松动会造成马达震动量的衰减。可固定打热熔胶尝试

5.如果采用工厂校准,拉取工厂生产过程f0参数大数据,一般建议20~100台机器左右【越多正态分布数据越可靠】,看是否在卡控标准范围


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FAQ0200643: AW99703背光应用中用PWM控制亮度,如何确认输入的PWM频率?
2022年06月

AW99703的内部会将PWM的占空比量化成亮度等级,最高支持11bit量化。即最高支持2048个等级。PWM输入频率和芯片PWM采样率配置共同确定芯片支持的最高量化bit数。

三者的关系如下图:

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PWM的采样率由0x08寄存器的【bit7-bit6】控制,图1中绿色、红色、蓝色线分别表示PWM的采样率为24Mhz、4MHz、800Hz时,芯片支持的最高量化bit数值随着输入频率的变化关系。

如果需要支持11bit的量化,则需要满足以下三种条件:

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FAQ0200642: MTK平台AW36515、AW36518如何更改flash电流?
2022年06月

AW36515和AW36518电流等级有差异,并且AW36515支持双闪,但在代码层面修改flash电流方式基本一致。

根据上层下发的level等级,驱动会根据level等级响应torch模式和flash模式。当level<7时,芯片响应为torch模式;level≥7时,芯片响应为flash模式。

调整flash电流可根据datasheet修改level映射数组,如下以AW36518为例。

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数组中Code对应实际flash电流数据计算公式如下,同理可根据该公式修改数组中的Code值。

例如:当上层下发level=7时,芯片响应为flash模式,设置电流等级为数组中0x01,即8.81mA,可修改亮度0x01为0x02,即14.68mA,以此类推。

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FAQ0200632: 如何排查AW99703驱动移植后背光不亮?
2022年06月

可参考以下方向排查:

1.首先确保iic通讯成功,可读chipid log确认。

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2.若未使能PWM模式,在/sys/class/leds/aw99703-bl路径下执行cat reg查看0x06和0x07亮度寄存器是否为0,若为0,需要配置亮度值。

3.若使能了PWM模式,测试主机是否发出了PWM波。

4.确认本项目使用几通道背光,驱动默认配置3通道,若使用一个或两个通道,会触发芯片OVP保护,可能导致背光不亮,需要修改dts配置。

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5.若按步骤2修改后背光仍旧不亮, cat reg读取寄存器信息,看0x0E和0x0F两个错误寄存器是否非0,若非0,可对照手册看报错信息。

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FAQ0200572: AW36515的strobe引脚有几种触发方式?
2022年06月

AW36515可通过strobe引脚外部触发闪光事件,触发方式分为边沿触发和电平触发两种:

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首先需要使能01H寄存器的Bit5=1,先给strobe引脚使能之后——

1. 电平触发模式—将01H寄存器的Bit6=0, LED的输出跟随strobe引脚的高低电平变化而变化,即strobe高电平时LED输出高、strobe低电平时LED输出低;

2. 边沿触发模式—将01H寄存器的Bit6=1, LED的输出由strobe信号的上升沿加下降沿触发,即strobe的上升沿来临后,LED跟随storbe下降沿输出,触发后按照08H寄存器bit[0:3]设置的闪光时间,完成一次闪光。

闪光结束后,LED输出回到低电平,等待strobe引脚的下一组上升沿和下降沿来临,再次闪光。波形如下图所示:

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FAQ0200503: AW210XX的RGBMD和SBMD功能可以同时打开吗?
2022年06月

可以的,当两个功能同时打开的时候,BR00~BR02 = BR00L, BR03~BR05 = BR00H, BR06~BR08 = BR01L…以此类推。也就是每三个通道的亮度由连续的BR寄存器控制。

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FAQ0200479: AW3651X如何使用Strobe脚点亮Torch?
2022年06月

首先核对01寄存器是否把对应通道使能(bit1/bit0),然后是否使能了(bit4)Torch Enable.核对无误后最后检查Strobe脚是否被拉高。需要注意必须先配置寄存器,

再拉高Strobe引脚,并且拉高1ms以上,因为Torch模式只能检测上升沿。

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FAQ0200440: AW2023替代AW2013软件怎么处理?
2022年06月

AW2023和AW2013本身pin to pin,AW2023和AW2013寄存器基本都是一一对应的,但是AW2023的功能更加丰富一些,详细的描述如下表:

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FAQ0500623: Android haptic芯片工厂f0校准流程
2022年06月

1.工厂操作环境要求参考:FAQ0500320: 在工厂中如何管控整机中马达的F0?

2.在sys/class/leds/aw_vibrator下有f0与cali节点

1)adb执行cat f0【芯片追踪f0值,默认放大了10倍】参考1进行卡控马达单体

2)在f0在正常范围的情况下,adb下echo 1 > cali做校准动作【校准过程预计150ms】,得到校准数据aw_haptic->f0_cali_data保存到NV_Flash[刷机非擦除区域]中。

3)开机从NV_Flash取出校准值更新到aw_haptic->f0_cali_data对应haptic参数中。每次播放会调用upload_lra(aw_haptic, AW_F0_CALI_LRA);来进行更新TRIM_LRA

3.检验f0 校准ok方法:

整机在海绵上,更换不同频率标定马达单体【马达单体规格书上、中、下频率,可联系马达厂获取】,追踪f0值与校准后长震示波器抓取电信号频率对比,看是否一致.(默认芯片测试偏差±2hz)

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FAQ0200466: AW9106B、AW9110B、AW9523B作为LED驱动时,芯片VCC和灯的阳极可以分开供电吗?
2022年06月

首先VCC和LED阳极电源的大小主要受限于VCC引脚和各端口的耐压,建议最大不超过5.5V。

在LED应用中,芯片VCC与灯阳极可为同一电源,也可分开独立供电,但要注意两点

- 灯阳极的电压不能大于芯片VCC电压;

- 上电时序要求:VCC上电不能晚于LED阳极电源上电;

同时,还要注意,当AW9106B、AW9110B、AW9523B的全部端口均作为LED驱动时,AD0AD1引脚必须均接高电平,以确保上电后各端口的默认状态为高阻或高电平,保证灯不会误亮。

AW9523B、AW9106B、AW9110B作为LED驱动的更多注意细节,可参考FAQ0200050。


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FAQ0200392: AW21024如何实现LED1~3自主呼吸,其他LED跑马灯功能?
2022年06月

若要实现LED1~3自主呼吸,则在所有灯自主呼吸的基础上(参考《AN_AW21024_应用配置_CN_V1.0》文档),修改ABH寄存器值为0x01;

其他LED可通过实时刷新BR寄存器来实现跑马灯.

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FAQ0200390: AW21009 group模式,RGB模式,单字节模式介绍
2022年06月

1. Group 模式

1)目的:为了简化灯效编程,加速显示刷新,从而对所选LED设置共同的亮度和颜色

2)例:若设置8BH寄存器的GE[0]=1,GSLDIS=0,则LED1~3的亮度值由寄存器GBRH/L控制,颜色值由GSLR/G/B寄存器控制。具体配置如下:

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2.RGB模式

1)若设置61H寄存器GCR2中的位RGBMD=1,则配置为RGB模式,只需要配置寄存器BR00-BR02来控制3组RGB灯的亮度,BR03-BR08寄存器不再有效;

2)若RGBMD=0,则寄存器BR00-BR08单独配置对应9个led的亮度参数,具体配置如下:

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3.单字节模式

1)默认情况下,每个LED都有一个带有BRxxL和BRxxH的12位BR参数

2)通过在寄存器GCR2(地址61h)中设置位SBMD=1,配置为单字节模式,每个LED都有一个由BR00L-BR04L配置的8位BR参数。具体配置如下。

注:BRxxH的有效位(xx是00-04)在单字节模式下是8位,默认模式是4bit。

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FAQ0100673: 为什么艾为音频功放输出接喇叭不需要接LC电路滤波?
2022年06月

传统D类放大器在无输入信号的空闲状态,输出是反相的方波信号,反相的方波直接加在喇叭负载上,会在喇叭上形成很大的开关电路功耗,因此需要在功放输出增加LC滤波器来恢复模拟音频信号。

LC滤波器增加了成本和PCB布板面积,同时增加了功耗,降低了THD+N等性能。

艾为音频功放采用了无需滤波器的放大架构,不需要输出的LC滤波器。在无输入信号的空闲状态,功放的两个输出(VOP,VON)为同相的方波,不会在喇叭负载上产生空闲开关电流。

在输入端加了信号后,输出的占空比发生变化,VOP的占空比变大的同时VON的占空比变小,输出的差分值在喇叭上形成了输出的差分放大信号。


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