选择射频开关常见指标如下图 :
1、什么是P0.1dB指标：通常指开关可以承受的最大峰值功率， 注：不是平均功率， CMW500，8960等仪器测试值通常是平均功率。
2、开关的P0.1dB指标 > 设计经过开关的最大峰值功率
手机各种制式峰值评估参考如下, 注链路插损需要根据实际项目LAYOUT评估。
制式 | 调制方式 | 常规功率 | 动态上限 | PAPR | 峰值功率 | 链路插损 | 开关最大峰值 |
(dBm) | (dB) | (dB) | (dBm) | (dB) | (dBm) | ||
GSM | GMSK | 33 | 2 | 0 | 35 | 0.5 | 35.5 |
WCDMA | QPSK/16QAM/64QAM | 23 | 2.7 | 5.8~6.5 | 32.2 | 0.5 | 32.7 |
LTE | QPSK/16QAM/64QAM | 23 | 2.7 | 6.7 | 32. 4 | 0.5 | 32.9 |
NR | BPSK/QPSK/16QAM/64QAM/256QAM | 23 | 3 | 6.7-8.4 | 34.4 | 0.5 | 34.9 |
HPUE | - | 26 | 3 | 6.7-8.4 | 37.4 | 0.5 | 37.9 |
3、其它请参考规格书的：applications 范围。
读取AW881xx整机喇叭的温度曲线的步骤如下：
① adb root
② adb remount
③ adb shell
④ cd /sys/bus/i2c/drivers/ ——进入艾为smartpa节点文件目录
⑤ cd aw881xx_smartpa ——进入到对应的驱动位置
⑥ ls ——打开当前文件夹，查看PA寄存器的地址
⑦ 读取PA当前的地址，例：地址为6-0034，读取到当前地址
⑧ 整机播放音乐
⑨ 执行如下命令
while true;do cat /sys/bus/i2c/drivers/aw881xx_smartpa/6-0034/reg|grep "0x46=";sleep 1;done
⑩ 音乐播放结束后，将读到的值粘贴到.txt文档中，使用工具Notepad++打开该文档，选中寄存器的值，使用Alt+Z快捷键方式，只复制寄存器值到excel表格中，使用转换函数（HEX2DEC）将16进制转换成10进制数，然后将转换的十进制数生成曲线，即得到喇叭的温度曲线。为保证获取到的温度值较为准确，在读取前需要先进行校准。
这取决于手套的厚度、材质、以及AW93001配置的灵敏度。
AWINIC公司测试了AW93001的灵敏度调节电容为10pF时，佩戴2 mm厚度的棉质手套触摸，AW93001可以正常识别触摸。
RXN：状态输出引脚，开漏级输出，内部通过60KΩ电阻上拉至1.8V，通常连接RXN至无线充电芯片的ENN脚，可以用来控制无线充电芯片的开启和关闭；
芯片触发过温保护（TSD），RXN为高；
芯片使能（ENN=0）且VIN有效（2.83V < VIN < 28V），RXN为高；
芯片使能（ENN=0）且VOUT有效（2.8V < VOUT < 20V），当OTG使能 (FLAGN=0) 后，VIN电压达到VOUT电压时，RXN为高；
其余情况RXN为低。
FLAGN：有输入和输出功能，内部通过120KΩ电阻上拉至1.8V；
作为输入功能是OTG模式控制口：在自动模式下（ENN=0），当VOUT有效（2.8V < VOUT < 20V），且VIN无效时（Vin<2.83V），将FLAGN引脚拉低，可进入OTG模式；
作为输出功能是Vin有效标志位输出：开漏级输出，当芯片使能（ENN=0），VIN有效时（2.83V < VIN < 28V），FLAGN输出低电平；当VOUT有效（2.8V < VOUT < 20V），且VIN无效时（Vin<2.83V），40us去抖时间后，FLAGN输出高电平。
1、AB类模式是直通模式，无升压，PVDD=VABT；FM模式为AB类+升压，PVDD=6.3V；
2、AB类模式的效率比FM模式的效率高，但是由于不升压的原因，输出功率比FM模式低；
3、AB类模式和FM模式都是模拟输出，而D类、K类输出的PWM信号会产生EMI干扰，当使用D类或K类有射频干扰（FM音质差）时，可尝试切换到PA的AB类模式或者FM模式.
可以用万用表交流档测试PA播放单频音的输出功率，测试方法：
1.播放1Khz单频音
2.万用表打到交流电压档
,万用表的表笔接到喇叭两端
3.万用表显示值就是PA输出电压的均方根值VO_RMS
PA输出功率计算：
,
喇叭的负载阻抗
例如：万用表显示值是2.83VRMS, 喇叭的阻抗是8Ω，输出功率
注：用万用表测量只能测到PA输出的电压值，无法测到PA输出信号波形的失真和频率。精确测量PA输出功率需要通过示波器或者AP测量。
按照如下方式进行测试
1.从手机上IIS的WCK、BCK、DATAO、DATAI以及GND飞线出来，并做好标记；
2. 使用数字测试线（AUDIO PRECISION CAB-BPSI-2P CII 104156）VGA接口，接在AP的Digital Serial I/O的INPUT的RECEIVER上；
3.数字测试线杜邦线端对应接法如下：
数字杜邦线端口 | 手机飞线接口 |
Frame | WCK |
Bit CLOCK | BCK |
DATA1 | DATAO |
DATA1_GND | GND |
4. 接线完成，IIS格式的AP输入设置参考如下（位宽设置需与测试信号一致）
5.如被测设备采用TDM格式，AP输入设置参考如下（位宽设置需与测试信号一致）
6. 手机设备开始播放后，Frame CLK Rate将会显示出手机设置采样率即为连接正确
7.开始测试
8.如需要测试PA输出，数字线接AP Digital Serial I/O OUTPUT的TRASMITTER上，AP采用output通路，Clocks设置为内部时钟即可；
两颗芯片，封装完全一致，但引脚定义和控制逻辑不同。
如下图: 芯片引脚定义和顶视图（Pin Configuration And Top Mark）
AW13112 控制逻辑
AW13102 控制逻辑
天线开关（Tuner）和普通射频开关(RF Switch)用法不同，天线开关使用在天线通路上，普通射频开关(RF Switch)使用在射频信号通路上。天线开关讲究的是小电阻（Ron）和尽量小(Coff)寄生电容，目的是尽量减少对Q值的恶化，影响天线性能。
PCB Layout摆件和走线注意事项：
1. RF signal器件靠近端口摆放，相邻的RF1/2/3/4端器件,建议垂直摆件，走线尽量短，为了避免RF signal trace和地之间形成电容，RF signal trace下面所有层需净空。
2. RF signal trace不要换层，以免阻抗不连续产生反射和增大插损。
3.去耦电容尽量靠近VDD，V1，EN等pin脚摆放,直接打孔到主地。
4.芯片内部回流路径要尽量短，在TOP层将芯片GND pin连在一起，直接打孔到主地，尽量有足够的地孔保证地的连接，芯片下面尽量不要走线。
5.芯片周围严禁有孤立地，周围尽量多打些通孔。
如下图：SP4T的摆件走线
以下说明以AW15045 LNA为例
1.原理图设计：LNA输入端需串联L1=20nH，输出需串L2=12nH,并C2=5.6pF，初始BOM可以按照推荐的值，最终BOM，以实际调试的最佳值的匹配为准。
Datasheet应用图如下所示：
2.PCB摆件：LNA的输入和输出匹配均需要以PCB最小间距靠近LNA放置。
注：AW15045和AW15145&AW15245的原理图设计&PCB摆件相同；不同点是推荐的匹配值不同，另外AW15045和AW15145是1107封装且pin to pin；AW15245是1109封装。
Triple-Level Triple-Rate AGC可以消除音乐杂音，提升音乐动态听感，增大音量，同时有效保护喇叭。
AGC1在检测输出削波后在极短时间内防止输出削波，抑制削波杂音，1.5ms完成最多10dB压缩；AGC2提升音乐动态范围，增益衰减3.5dB；AGC3保证工作在额定功率内，以0.5dB进行压缩和释放，释放阈值比压缩阈值低1dB。
用AP测量PA输入、输出的底噪数据，判断异常位置。
数字域不产生噪声，主要由模拟域产生，包括DAC，PGA，Audio PA等
Noise_BB与输入信号会一起被放大Av倍；响度大，需要Av大，噪声也会变大。
PA输出底噪 = 
常见问题为：
1、单端输入信号（没有走伪差分信号）处理不够理想，引入干扰导致底噪大。
解决办法：单端输入时，PA输入的接地端连接到平台参考地，然后与平台音频输出信号一起走伪差分接到PA。
2、平台输出的底噪较大（>10uVrms）。
解决办法：减小PA的放大倍数，同时为了不降低整体响度，提升平台增益来增大平台输出信号幅度（平台输出底噪保持不变）。从而在PA输出信号幅度不变的情况下，降低了系统底噪。
PA out = 平台输出信号 
* PA 放大倍数
单向TVS用在单向信号传输中，双向TVS用在需要传输双向信号的线路中，TVS的选用和所保护的有用信号的特性相关。
OVP（内部有TVS管，器件有负浪涌能力），可以配合双向TVS管使用，过正负浪涌测试标准； OVP（内部无TVS管，器件没有负浪涌能力），必须配合单向TVS管使用，过正负浪涌测试标准；信号有正负，必须配合双向TVS管使用。
浪涌测试采用IEC61000-4-5规范，测试波形以8/20μs测试，8/20us 是雷击浪涌的一种波形，上升前沿在8us，峰值电流下降在1/2处保持在20us。浪涌测试通常是内阻2欧姆的一个短路电流波形，即充电1KV输出500A左右的电流波形，或者500A左右的反向电流可以耐1KV的浪涌。可以通过以下方法选择合适的TVS管：
1.确定电路系统需要满足的最大浪涌电压；
2.根据后级芯片的最大承受电压，选择TVS管钳位电压VC，VC必须小于芯片的最大承受电压；
3.根据8/20μs测试模型，计算在VC下的最高反向电流Ipeak =（浪涌冲击电压 – VC）/ 2；
4.计算TVS的最大反向功率Ppp=VC*Ipeak；
如系统需要过300V的浪涌测试，系统工作电压20V，选择AW32905 OVP（内置120V浪涌防护），则外部需增加TVS管，所选择的TVS管需要满足如下要求：TVS的Vrwm需要大于20V，VC需要小于29V，假定VC为25V，最高反向电流Ipeak=（300V-25V）/ 2=137.5A，最大反向功率Ppp=25V*137.5A≈3.4KW。
选择TVS时，最大反向工作电压Vrwm需要大于电路系统的正常工作电压，VC必须小于芯片的最大DC耐压，艾为OVP通常有浪涌防护，见下表：
悬空。
AW99703支持三路背光，实际使用中，有可能只用到二路，那么另外一路悬空即可；
AW99703有短路开路检测，悬空的这一路需要disable，具体修改参考如下列表；
目前艾为音频PA型号的尾缀有CSR、LCSR、ACSR、FCR、QNR。
其中CSR、LCSR、ACSR带-CS的尾缀是CSP封装（表面为裸晶圆，一般都有锡球），
FCR带-FC尾缀的是FCQFN封装（表面塑封材料）,
QNR带-QN尾缀的是QFN（表面塑封材料）。
图一 CSP封装的侧视图与底视图 图二 FCQFN封装的侧视图与底视图 图三 QFN封装的侧视图与底视图
AW88261和AW88265相比之前Smart PA多了VLDO管脚，VLDO电源来自DVDD，无需外部供电，此电压给内部数字电路供电，不可给其它外部电源模块使用；
VLDO电压输出1.5V，范围±0.1V，使用时需要外接1uf电容。
接法如下：
1、二极管D1可以隔离反向过来的浪涌或者高电压，需要注意二极管的过流能力大于工作时的最大电流并且预留至少20%余量，且PCB需要注意散热，IC下方多打地孔到主地且尽量保持地的完整便于散热。
2、R1/R2用来设定二极管后端电压，这样可以弥补二极管带来的压降损失。
可以将LED1和LED2并一起。内部电流源架构，由于1个通道的电流能力是有限的，只有一个LED灯时，为了加强驱动能力，LED1/LED2是可以并一起的。
需要注意的是，对应的电流配置时需要配置成ILED1=ILED2，且对应的电流值要配成目标电流的一半。比如你要达到1A时，只需要将ILED配成500mA。
© Copyright 2008-2021 上海艾为电子技术股份有限公司 | 沪ICP备10011954号 Powered by IT
