CS2引脚作为I2C地址选择位，判断的原理是芯片上电时，CS2引脚输出高电平后，约250us会对管脚电平进行高低判断；然后CS2引脚输出低电平后，约250us会对管脚电平进行高低判断,具体的判断规则如下：
注：以上判断规则需满足CS2通道寄生电容在220pf补偿范围内，补偿范围以外CS2通道无法正常工作
某客户制作的app需要对灯的节点进行echo操作，但操作失败并会出现以下log：
type=1400 audit(0.0:280): avc: denied { write } for name="fw" dev="sysfs" ino=37586 scontext=u:r:untrusted_app:s0:c93,c256,c512,c768 tcontext=u:object_r:sysfs:s0 tclass=file permissive=0
分析：
主体类型（scontext）：untrusted_app
客体类型（tcontext）： sysfs
客体文件名（name）：fw
客体类别（tclass）：file
需要的权限：write
根据以上可得知，untrusted_app对节点fw的写操作被SELinux拦截。
而应客户需求，会将app做成system app，故以下解决方案会以system app为对象，以高通平台为例：
1.在/qcom/sepolicy/vendor/common/file_contexts内，定义实际节点路径的安全标签： /devices/platform/soc/78b6000.i2c/i2c-2/2-006a/leds/ u:object_r:sysfs_leds:s0
2. 在/qcom/sepolicy/common/system_app.te，申请权限:
allow system_app sysfs_leds:file rw_file_perms;
3. 重新编译源码。
4. 将app做成system app。
信息补充：
SELinux将app划分为主要的三种类型：
1） untrusted_app：第三方app，没有android平台签名，没有system权限；
2） platform_app：有android平台签名，没有system权限；
3） system_app：有android平台签名和system权限。
安全标签的定义规则：
标签的基本格式为：user:role:type:security_level
user：代表用户，目前为止可选值只有“u”一种。
role：代表角色，对于主体来说是r，对于客体来说是object_r。
type：代表类型。
security_level：代表安全级别，s0为最低级是默认的级别，s15是最高的级别。
为节省功耗，高通推出SEE软件架构，并集成SCP（协处理器），一般会将Sensor挂在SCP侧。推荐SAR Sensor的IIC上拉和VCC共用同一电源VDD/VDDIO），SAR驱动中会控制该路电打开关闭，所以可能测试出低电平状态。下图为我司测试IIC上拉电源示例，SAR Sensor IIC上拉和VCC电源接高通推荐的vddio端口，该路电无其他sensor使用，可见初始化和实例化时打开上拉电源进行IIC通信，空闲时关闭IIC上拉电源。
高通HAL层默认源码只接收SAR Sensor一个通道的数据，QsensorTest也只打印上报的第一个数据值，不能作为实际上报的多通道状态依据。
我司SAR Sensor调试使用QsensorTest有三个作用：
1. 判断SAR Sensor是否注册成功，若未注册成功，QsensorTest列表无SAR Sensor。
2. 通过时间戳变化初步判断驱动初始化和实例化是否加载成功。
3. 调试我司APK时需要打开实例，即点击SAR Sensor项，如下图。
使用艾为APK调试时，需要先编译出see_awrw_reg工具（可读写寄存器），并且按照APK相应移植文档和脚本操作仍出问题，可参考以下方向排查。
1. QsensorTest是否有SAR信息。若无SAR信息，先排查json文件是否配置正确（尤其排查iic和供电配置），如下图1；其次排查iic通讯是否正常，可通过初始化log排查是否正确对出chipid，如下图2；最后排查HAL层配置修改是否正确，可参考驱动移植文档。
图1 图2
2. QsensorTest中有SAR信息，需要点叉enable芯片后再尝试，如下图3。
图3
3. 若1、2排查后仍旧异常，可排查see_awrw_reg工具的有效性，需要注意，APK移植脚本中将该工具改名。QsensorTest打开SAR后，用shell命令执行awrw_AW9610x-12_SAR0_Sensor_Wakeup 2 4 1 0xff 0x10看是否能正常chipid，若报下图4错误，可抓取实例化log看iic通信是否正常；若报下图5错误，可能为see_awrw_reg工具与软件刷机版本非同一编译环境导致，需要重编软件大版本生成新的see_awrw_reg工具。
图4
图5
AW8680x固件程序除了可以使用I2C写入外，还可以使用aw8680x UI烧录。
1.aw86802 demo板与ForceTouch_EVB_V1.1底板I2C跳帽(红框1)连接，插上USB线与电脑连接。
2.打开AW8680X UI v1.3.0，依次点击connect、Initalize、Handshake，能握手到V0.1.0.3,说明在boot中，可以升级app程序。
3：在Fast Programming模块下，点击省略号，选择hex文件，点击Flash Mode将hex写入flash
4：写入成功后，需手动跳转到APP区，在flash jump模块输入0x0100 1000,点击Flash Jump，然点击Handshake，能握手到V1.0.0.x成功(x:固件app的版本号)
5.在algo界面可进行数据查看，纵轴为adc code值，横轴为采样点数，默认10ms周期采样。勾选save可进行数据保存，取消save勾选后停止数据保存，数据以csv格式保存在UI安装目录。
这两个电阻是采样电阻，如果不需要调节电流可以不用，但是必须将Asen和Bsen引脚连接到地。
1、START_DLY（0x3C）默认时间（83us）太短，导致在播放前电池电压检测（ADC采样16次）失败，输出波形按着默认参考电压生成的，所以会出现即使勾选了硬件电池电压补偿输出波形也会跟着供电电压的变化而变化。
2、为了能够让芯片成功检测出电池电压，需要将START_DLY设置大于208us，所以用Demo板调试时，如果用到硬件电池电压补偿功能，需要设置一下START_DLY 。
在RTP播放过程中，若FIFO空间中数据播完，则造成RTP断播，示例log如下：
1）排查Haptic ic是否独占IIC总线，有RTP功能需求时要独占总线。
2）提升IIC速率，芯片最高支持1M，加快写FIFO速率，并用示波器实测IIC速率是否与设置速率一致。IIC速率设置可参考：FAQ0500640_使用RTP模式时，IIC速率该如何选择？
3）排查代码中在写FIFO前是否使用到pm_qos_enable机制，防止系统调度导致断播。
4）怀疑播FIFO速度仍然较快，针对aw869x、aw869xx芯片可修改固件，将FIFO空间扩大至4K，快空快满此时为2k和3k，增大数据存储量。
1.工厂操作环境要求参考：FAQ0500320: 在工厂中如何管控整机中马达的F0?
2.在HapticHv/Nv_Driver_STM32版本haptic_hv/nv.c [Hv对应高压Haptic芯片，Nv对应常压芯片]
1) haptic_hv_f0_show/f0_show(常压)函数操作得到aw_haptic.f0【f0追踪值,默认放大了10倍】，参考1进行卡控马达单体
2) 在f0在正常范围的情况下，haptic_hv_f0_cali/f0_cali(常压)函数做校准动作【校准过程预计150ms】，得到校准数据aw_haptic.f0_cali_data保存到NV_Flash[刷机非擦除区域]中。
3) 开机从NV_Flash取出校准值更新到aw_haptic.f0_cali_data对应haptic参数中。每次播放会调用upload_lra(AW_F0_CALI_LRA);来进行更新TRIM_LRA
3.检验f0 校准ok方法:
整机在海绵上，更换不同频率标定马达单体【马达单体规格书上、中、下频率，可联系马达厂获取】，追踪f0值与校准后长震示波器抓取电信号频率对比，看是否一致.(默认芯片测试偏差±2hz)
Tir-level pin即支持高电平/低电平/高阻态三种状态的引脚。
以AW8646的TOFF pin为例，将其拉高/拉低/悬空（表示为Z）分别对应三个不同的放电时长，如下表：
Layout时需注意对tri-level pin的屏蔽保护。
方案一：如果FM天线不在小板上，射频路径中没有FPC，建议使用FM LNA N端走伪差分到平台接地，P端接平台端口。
方案二：如果FM射频路径中有FPC，建议P端和N端走差分线到芯片处用Balun转成单端到平台端口，伪差分的抗干扰能力会比真差分弱， 建议采用 Balun 走真差分。
AW13508T芯片支持0x00和0x01两个模式控制寄存器，产品手册描述如下：
0x00寄存器控制RF2/RF3/RF5/RF6/RF7通道的打开和关闭，配置ALL_OFF即为RF2/RF3/RF5/RF6/RF7通道关闭；
0x01寄存器控制RF1/RF4/RF8通道的打开和关闭，配置ALL_OFF即为RF1/RF4/RF8通道关闭；
寄存器bit位配置值含义：0代表OFF，1代表ON。
使用建议：
1、通道切换场景需要同时配置0x00和0x01寄存器，确保所有通道状态一起刷新，避免部分通道状态不确定。
2、寄存器描述中x代表0或1，即该芯片支持多个通道同时配置为打开，但同时打开的通道会产生插入损耗，建议联系艾为FAE评估具体应用场景。
1.封装不同：AW13414RQNR封装为QFN,2mmX2mmX0.5mm-14;
AW13414TLGR封装为1.1mmX1.1mmX0.47mm-9；
2.P0.1dB不同：AW13414RQNR的P0.1dB为30dBm，在电路中作为接收开关使用；
AW13414TLGR的P0.1dB为35dBm，在电路中作为发射和接收开关使用。
1. 首先安装power-z软件
（1） 软件连接：X:\07-工具软件\01-常用软件\power-z
（2）结果
2. 硬件连接
上电后显示的是当前充电的电压、电流和功率
3. 打开软件，识别设备
4. 抓Vbus波形
5. 抓PD数据包
Boost芯片AW3615CSR后端接感性负载（例如风扇，马达等）时需要注意：
1.启动时序：建议先给AW3615使能，间隔5ms后，再给感性负载上电，确保在AW3615完成软启之后再让感性负载工作；
2.关断时序：建议先关闭AW3615的使能，间隔5ms后，再关闭感性负载，防止感性负载的电感特性将感生电动势耦合到输出端，从而造成AW3615的输出电压有尖峰过冲，进而冲击坏SW引脚；
3.PCB布局：优先考虑COUT电容的摆放，尽可能的靠近芯片的VOUT引脚，距离芯片引脚越远，寄生电感越大，会恶化SW端的过冲，推荐布局图1；其次VOUT端加肖特基二极管（如图2黄色圈），隔离反灌回来的过冲。
采样电阻的作用有两个，一是Ibat ADC采样，二是Ibat_ocp保护电流采样。
不接采样电阻不影响工作，但没有ADC采样和Ibat_ocp功能，建议保留；
用电量计检测电流，实现ADC采样和Ibat_ocp保护，这种情况可以不用采样电阻。
AW32280支持1mΩ 和 2mΩ两种电阻采样规格；实际产品应用中，电阻选型确定后，需要配置相应的寄存器，参考0x324寄存器如下：
若用0.75 mΩ采样电阻，ADC采样可以通过软件实现读数校正，比如将0x0324寄存器配置成2mΩ，实际采样电流即为ADC采样结果的8/3倍，采样精度会相应变低；
同时，短路电流阈值也会变为原来的8/3倍，原Ibat_ocp阈值如下，放大后需要重新计算ibat_ocp阈值并做出选择。
浪涌测试仪对开路电压要求：在输出开路情况下，电压从0.3*波峰电压上升到0.9*波峰电压时间定义为Tr，要求波前时间Tf=1.67*Tr=1.2us。
开路电压从第一次上升到0.5*波峰电压开始，到开路电压回落到0.5*波峰电压的时间，定义为电压半峰值时间Tw，要求电压半峰值持续时间Td=Tw=50us。具体下图所示。
开路电压波形
浪涌测试仪对短路电流要求：在输出短路情况下，短路电流从0.1*波峰电流上升到0.9*波峰电流时间为Tr，要求波前时间Tf=1.25*Tr=8us。短路电流从第一次上升到0.5*波峰电流开始，到短路电流回落到0.5*波峰电流的时间，定义为电流半峰值时间Tw，要求电流半峰值持续时间Td=1.18*Tw=20us。具体如下图所示。
开路输出电压与短路输出电流的比值为浪涌测试仪内阻，要求是2Ω。
短路电流波形
悬空即可，并且VCONN引脚并联的2个电容可以不贴。
当USB充电线上的电流超过3A时，需要使用到电子标签，该电子标签芯片由VCONN引脚通过CC引脚供电。
当USB充电线上的电流没有超过3A时，VCONN功能是不需要的。
AW35615应用电路图
LED在理想状况下，发光强度和电流是正向等比例线性关系，但实际上由于LED芯片发光时伴随热量的释放，亮度在上升的同时，其上升率会越来越低，直至LED被烧毁，此部分上升率是变量，故LED光电特性(IF&IV%)曲线实际呈正向(热量释放未超过芯片承受能力时呈非等比例线性关系)/反向(热量释放超过LED芯片承受能力时会呈非等比例线性关系)，且会随LED烧毁而截止；
如下图是某LED手册中发光强度/电流关系，电流和发光强度并不是倍数关系，如果矩阵扫描最大电流80mA电流对应亮度150，假设每个周期LED亮的时间为1/8，平均电流10mA, 一个周期亮度150/8=18.75；而直驱10mA亮度，对应的是50，所以LED平均电流一样时，直驱方式比矩阵扫描方式亮。
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